CSD13202Q2 - N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）

CSD13202Q2是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD13202Q2是N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值），本站介绍了CSD13202Q2的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD13202Q2相关的TI元器件型号供参考。

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产品描述

这个 12V，7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA=45°C/W，这是在 1 平方英寸纯铜 (Cu)（2 盎司）且厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%

产品特性

超低 Qg和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持类器件
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
负载点同步降压转换器

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