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CSD13202Q2 - 产品图解：
CSD13202Q2 - N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值）
CSD13202Q2是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD13202Q2是N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值），本页介绍了CSD13202Q2的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD13202Q2相关的TI元器件型号供参考。
CSD13202Q2 - N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V（最大值） - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品描述
这个 12V，7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图 RθJA=45°C/W，这是在 1 平方英寸纯铜 (Cu)（2 盎司）且厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%产品特性
- 超低 Qg和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
应用范围
- 针对负载开关应用进行了优化
- 存储、平板电脑和手持类器件
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
- 负载点同步降压转换器
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