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CSD13302W - 产品图解：
CSD13302W - CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD13302W是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD13302W是CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本页介绍了CSD13302W的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD13302W相关的TI元器件型号供参考。
CSD13302W - CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
2 应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
产品说明
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 6.0 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 2.1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V | 21.2 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 14.6 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.0 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD13302W | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.0mm × 1.0mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD13302WT | 250 | 7 英寸卷带 |
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