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CSD16556Q5B - 产品图解：
CSD16556Q5B-25V NexFET N 通道功率 MosFET
CSD16556Q5B-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD16556Q5B-CSD16556Q5B 25V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. C)
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TI产品 - CSD16556Q5B介绍

CSD16556Q5B - 25V NexFET N 通道功率 MosFET

CSD16556Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD16556Q5B是25V NexFET N 通道功率 MosFET，本站介绍了CSD16556Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD16556Q5B相关的TI元器件型号供参考。

CSD16556Q5B - 25V NexFET N 通道功率 MosFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低电阻
  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品说明

这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压25V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)36nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）12nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5 V1.2mΩ
VGS = 10V0.9mΩ
VGS(th)阈值电压1.4V
。 订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD16556Q5B13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD16556Q5BT7 英寸卷带250
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