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CSD16556Q5B - 产品图解：
CSD16556Q5B - 25V NexFET N 通道功率 MosFET
CSD16556Q5B是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD16556Q5B是25V NexFET N 通道功率 MosFET，本页介绍了CSD16556Q5B的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD16556Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD16556Q5B - 25V NexFET N 通道功率 MosFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低电阻
- 超低 Qg和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品说明
这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 25 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 36 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 12 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5 V | 1.2 | mΩ |
| VGS = 10V | 0.9 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.4 | V | |
。 订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16556Q5B | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD16556Q5BT | 7 英寸卷带 | 250 |
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