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CSD17552Q5A - 产品图解:

TI芯片:
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- LM4128AMF-2.0 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准
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- TPS563257DRLR - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
- DAC7664YBR - 集成电路(IC) > 数据采集 > 数模转换器(DAC)
- LM2901VQPWRG4 - 集成电路(IC) > 线性 > 比较器
- SN74BCT2414DW - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- INA118U/2K5 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器



CSD17552Q5A - 30V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17552Q5A
CSD17552Q5A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD17552Q5A是30V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17552Q5A,本站介绍了CSD17552Q5A的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD17552Q5A相关的TI元器件型号供参考。
CSD17552Q5A - 30V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17552Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品描述
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2),2 盎司(厚度 0.071mm)的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%产品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
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