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CSD17552Q5A - 产品图解：
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- BQ296202DSGR - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电池管理
- TAS2562YFPEVM-DC - 开发板，套件，编程器 > 评估板 > 音频放大器评估板
- AMC1305M05DWR - 集成电路（IC） > 数据采集 > ADC/DAC - 特殊用途
- LP3919RL-C/NOPB - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源管理 - 专用
- TPS2070DAP - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源管理 - 专用
- TMUXHS221NKGR - 集成电路（IC） > 接口 > 模拟开关，多路复用器，解复用器
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CSD17552Q5A - 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17552Q5A
CSD17552Q5A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17552Q5A是30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17552Q5A，本站介绍了CSD17552Q5A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17552Q5A相关的TI元器件型号供参考。
CSD17552Q5A - 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17552Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品描述
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%产品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
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