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CSD17556Q5B - 产品图解：
CSD17556Q5B-30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B
CSD17556Q5B-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17556Q5B-CSD17556Q5B 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. B)
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TI产品 - CSD17556Q5B介绍

CSD17556Q5B - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B

CSD17556Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17556Q5B是30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B，本站介绍了CSD17556Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17556Q5B相关的TI元器件型号供参考。

CSD17556Q5B - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 同步整流
  • 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用
产品说明

这款 30V，1.2mΩ，5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)30nC
Qgd栅漏栅极电荷7.5nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5 V1.5mΩ
VGS = 10V1.2mΩ
VGS(th)阀值电压1.4V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD17576Q5B250013 英寸卷带SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD17576Q5BT25013 英寸卷带
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