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CSD17556Q5B技术文档下载：
CSD17556Q5B - 产品图解：
TI芯片：
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CSD17556Q5B - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B
CSD17556Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17556Q5B是30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B，本站介绍了CSD17556Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17556Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD17556Q5B - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5B - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 同步整流
- 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用
产品说明
这款 30V，1.2mΩ，5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 30 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 7.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5 V | 1.5 | mΩ |
| VGS = 10V | 1.2 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 1.4 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17576Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD17576Q5BT | 250 | 13 英寸卷带 |
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