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CSD18531Q5A - 产品图解：
TI芯片：
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- MAX3222EIDBR - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
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- LM4883SQ/NOPB - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- MSP430F6636IPZ - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
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- CDCVF2509APWR - 集成电路（IC） > 时钟/定时 > 时钟发生器，PLL，频率合成器
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- TPS2540RTET - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
CSD18531Q5A - 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18531Q5A
CSD18531Q5A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD18531Q5A是60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18531Q5A，本站介绍了CSD18531Q5A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD18531Q5A相关的TI元器件型号供参考。
CSD18531Q5A - 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18531Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- VSONP 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流
- 电池电机控制
产品说明
这款 60V，3.5mΩ，5mm × 6mmNexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
俯视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 60 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 36 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 5.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 4.4 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.5 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18531Q5A | 2500 | 13 英寸卷带 | VSONP 5mm × 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD18531Q5AT | 250 | 7 英寸卷带 |
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