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CSD19531Q5A - 产品图解：
CSD19531Q5A-100V 10mm2 SON5x6，CSD19531Q5A
CSD19531Q5A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD19531Q5A-CSD19531Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. B)
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TI产品 - CSD19531Q5A介绍

CSD19531Q5A - 100V 10mm2 SON5x6，CSD19531Q5A

CSD19531Q5A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19531Q5A是100V 10mm2 SON5x6，CSD19531Q5A，本站介绍了CSD19531Q5A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19531Q5A相关的TI元器件型号供参考。

CSD19531Q5A - 100V 10mm2 SON5x6，CSD19531Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
产品说明

这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)37nC
Qgd栅漏栅极电荷6.6nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 6V6.0mΩ
VGS = 10V5.3mΩ
VGS(th)阀值电压2.7V
订购信息
器件介质数量封装出货
CSD19531Q5A13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD19531Q5AT7 英寸卷带250
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