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CSD19536KCS - 产品图解：
CSD19536KCS-100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS
CSD19536KCS-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD19536KCS-CSD19536KCS 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. B)
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TI产品 - CSD19536KCS介绍

CSD19536KCS - 100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS

CSD19536KCS是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19536KCS是100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS，本站介绍了CSD19536KCS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19536KCS相关的TI元器件型号供参考。

CSD19536KCS - 100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装
2 应用范围
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
产品说明

这款 100V，2.3mΩ，TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)118nC
Qgd栅漏栅极电荷17nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 6V2.5mΩ
VGS = 10V2.3mΩ
VGS(th)阈值电压2.5V
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