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CSD19536KTT - 产品图解：
CSD19536KTT-CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET
CSD19536KTT-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD19536KTT-CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET (Rev. A)
TI芯片：
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TI产品 - CSD19536KTT介绍

CSD19536KTT - CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

CSD19536KTT是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19536KTT是CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，本站介绍了CSD19536KTT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19536KTT相关的TI元器件型号供参考。

CSD19536KTT - CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装
产品应用
  • 次级侧同步整流器
  • 热插拔
  • 电机控制
产品说明

这款 100V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

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引脚分配
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源极电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)118nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）17nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 6V2.2mΩ
VGS = 10V2.0mΩ
VGS(th)阈值电压2.5V
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