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CSD19536KTT - 产品图解：
CSD19536KTT - CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET
CSD19536KTT是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19536KTT是CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，本页介绍了CSD19536KTT的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD19536KTT相关的TI元器件型号供参考。
CSD19536KTT - CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
产品应用
- 次级侧同步整流器
- 热插拔
- 电机控制
产品说明
这款 100V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
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引脚分配产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 118 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 17 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 2.2 | mΩ |
| VGS = 10V | 2.0 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 2.5 | V | |
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