TI公司，TI官网，TI代理商
TI(德州仪器)|TI产品型号搜索：
专营TI（德州仪器）元器件，强大的现货交付能力，解决您的采购难题
全流程提供TI（德州仪器）现货供应链服务
当前位置：TI代理 > > TI芯片 >> CSD22204W
CSD22204W技术文档下载：
CSD22204W技术文档产品手册下载
CSD22204W - 产品图解：
CSD22204W-CSD22204W 8V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD22204W-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD22204W-CSD22204W 8V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片：
承诺原装正品
专营TI德州仪器，真正优化您的供应链
TI产品 - CSD22204W介绍

CSD22204W - CSD22204W 8V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD22204W是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD22204W是CSD22204W 8V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD22204W的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD22204W相关的TI元器件型号供参考。

CSD22204W - CSD22204W 8V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位
2 应用范围
  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用
产品说明

这款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

顶视图和电路配置
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-8V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)18.9nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）4.2nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = -2.5V11.5mΩ
VGS = -4.5V8.2mΩ
VGS(th)阈值电压 -0.7V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD22204W30007 英寸卷带1.5mm x 1.5mm 晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装卷带封装
CSD22204WT2507 英寸卷带
下面可能是您感兴趣的TI德州仪器公司P通道MOSFET晶体管元器件
节约时间成本，提高采购效率，TI官网授权代理
TI公司|TI德州仪器|德州仪器TI公司代理商|TI芯片代理商
TI公司产品现货专家，订购TI公司产品不限最低起订量，TI芯片大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
寻找全球TI代理商现货货源 - TI公司（德州仪器）电子元件在线订购