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CSD23381F4 - 产品图解：
CSD23381F4-12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4
CSD23381F4-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD23381F4-CSD23381F4 12V P 通道 FemtoFET MOSFET (Rev. E)
TI芯片：
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TI产品 - CSD23381F4介绍

CSD23381F4 - 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4

CSD23381F4是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23381F4是12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4，本站介绍了CSD23381F4的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD23381F4相关的TI元器件型号供参考。

CSD23381F4 - 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用
产品说明

这款 150mΩ，12V P 通道 FemtoFET™ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 已被设计且优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。

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典型部件尺寸

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产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-12V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)1140pC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）190pC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = -1.8V480mΩ
VGS = -2.5V250mΩ
VGS = -4.5V150mΩ
VGS(th)阈值电压-0.95V
。 订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD23381F430007 英寸卷带Femto(0402) 1.0mm x 0.6mm 接合栅格阵列 (LGA)卷带封装
250
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