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CSD23381F4 - 产品图解：
CSD23381F4 - 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4
CSD23381F4是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23381F4是12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4，本页介绍了CSD23381F4的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD23381F4相关的TI元器件型号供参考。
CSD23381F4 - 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高运行漏极电流
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄
- 最大高度 0.35mm
- 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
- 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
- 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 电池类应用
- 手持式和移动类应用
产品说明
这款 150mΩ，12V P 通道 FemtoFET™ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 已被设计且优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。
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典型部件尺寸。
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产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 1140 | pC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 190 | pC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -1.8V | 480 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 250 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 150 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.95 | V | |
。 订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23381F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto(0402) 1.0mm x 0.6mm 接合栅格阵列 (LGA) | 卷带封装 |
| 250 |
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