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CSD23382F4 - 产品图解：
CSD23382F4-P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4
CSD23382F4-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD23382F4-CSD23382F4 12V P 通道 FemtoFET MOSFET (Rev. C)
TI芯片：
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TI产品 - CSD23382F4介绍

CSD23382F4 - P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

CSD23382F4是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23382F4是P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4，本站介绍了CSD23382F4的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD23382F4相关的TI元器件型号供参考。

CSD23382F4 - P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 低高度
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 2kV 人体模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅端子镀层
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用
产品说明

此 66mΩ，12V P 通道 FemtoFET™ MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

典型部件尺寸

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-12V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)1.04nC
Qgd栅漏栅极电荷0.15nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = –1.8V149mΩ
VGS = -2.5V90
VGS = -4.5V66
VGS(th)阀值电压-0.8V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD23382F430007 英寸卷带Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 接合栅格阵列 (LGA)卷带封装
CSD23382F4T2507 英寸卷带
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