CSD23382F4 - P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

CSD23382F4是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23382F4是P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4，本站介绍了CSD23382F4的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD23382F4相关的TI元器件型号供参考。

CSD23382F4 - P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性

低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
低高度
- 最大高度 0.35mm
集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
- 额定值 > 2kV 人体模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
无铅端子镀层
无卤素
符合 RoHS 环保标准

2 应用范围

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池类应用
手持式和移动类应用

产品说明

此 66mΩ，12V P 通道 FemtoFET™ MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

典型部件尺寸

产品概要

TA = 25°C	典型值	单位
VDS	漏源电压	-12		V
Qg	栅极电荷总量 (-4.5V)	1.04		nC
Qgd	栅漏栅极电荷	0.15		nC
RDS(on)	漏源导通电阻	VGS = –1.8V	149	mΩ
		VGS = -2.5V	90
		VGS = -4.5V	66
VGS(th)	阀值电压	-0.8		V

订购信息(1)

器件	数量	介质	封装	出货
CSD23382F4	3000	7 英寸卷带	Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 接合栅格阵列 (LGA)	卷带封装
CSD23382F4T	250	7 英寸卷带	Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 接合栅格阵列 (LGA)	卷带封装

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