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CSD85301Q2 - 产品图解：
CSD85301Q2-CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD85301Q2-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD85301Q2-CSD85301Q2 20V 双路 N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片：
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TI产品 - CSD85301Q2介绍

CSD85301Q2 - CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD85301Q2是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD85301Q2是CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD85301Q2的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD85301Q2相关的TI元器件型号供参考。

CSD85301Q2 - CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低导通电阻
  • 两个独立的 MOSFET
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护
产品说明

CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。

俯视图和电路图

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压20V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)4.2nC
Qgd栅极电荷 栅极到漏极1.0nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 1.8V65mΩ
VGS = 2.5V33mΩ
VGS = 3.8V25mΩ
VGS = 4.5V23mΩ
VGS(th)阈值电压0.9V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD85301Q27 英寸卷带3000SON 2mm x 2mm 塑料封装卷带封装
CSD85301Q2T7 英寸卷带250
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