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CSD85301Q2 - 产品图解：
CSD85301Q2 - CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD85301Q2是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD85301Q2是CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本页介绍了CSD85301Q2的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD85301Q2相关的TI元器件型号供参考。
CSD85301Q2 - CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 低导通电阻
- 两个独立的 MOSFET
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动器而优化
- 雪崩级
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
- 电池保护
产品说明
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
俯视图和电路图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 4.2 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 1.0 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 1.8V | 65 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 33 | mΩ | ||
| VGS = 3.8V | 25 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 23 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD85301Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD85301Q2T | 7 英寸卷带 | 250 |
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