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CSD85302L - 产品图解:
CSD85302L-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD85302L-CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET
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TI产品 - CSD85302L介绍
CSD85302L - CSD85302L

CSD85302L是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD85302L是CSD85302L,本页介绍了CSD85302L的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD85302L相关的TI元器件型号供参考。

CSD85302L - CSD85302L - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV
产品应用
  • USB Type-C/PD
  • Battery Management
  • Battery Protection
产品说明

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.

Top View Configuration

Text added for spacing

Product Summary
TA = 25°C TYPICAL VALUEUNIT
VS1S2 Source-to-Source Voltage20V
Qg Gate Charge Total (4.5 V)6nC
Qgd Gate Charge Gate-to-Drain1.4nC
RS1S2(on) Source-to-Source On-ResistanceVGS = 2.5 V29
VGS = 4.5 V20
VGS = 6.5 V18.7
VGS(th) Threshold Voltage0.9V
Ordering Information(1)
DEVICEQTYMEDIA PACKAGE SHIP
CSD85302L30007-Inch Reel1.35 × 1.35 mm Land Grid Array (LGA) PackageTape and Reel
CSD85302LT250
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