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CSD85302L - 产品图解：
TI芯片：
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- TMP5704357AZWTQQ1 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- BQ7790522PWR - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电池管理
- CDCVF310PW - 集成电路（IC） > 时钟/定时 > 时钟缓冲器，驱动器
- TLC5540IPWR - 集成电路（IC） > 数据采集 > 模数转换器（ADC）
- TRSF3238IDBR - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
- MSP430F67451IPZR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TL432AQPK - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
- TLV27L1ID - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- TPS2514ADBVR - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源管理 - 专用
- DS92LV1023TMSAX - 集成电路（IC） > 接口 > 串行器，解串器
CSD85302L - CSD85302L
CSD85302L是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD85302L是CSD85302L，本站介绍了CSD85302L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD85302L相关的TI元器件型号供参考。
CSD85302L - CSD85302L - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- Common Drain Configuration
- Low On-Resistance
- Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
- Pb Free and Halogen Free
- RoHS Compliant
- ESD HBM Protection >2.5 kV
产品应用
- USB Type-C/PD
- Battery Management
- Battery Protection
产品说明
This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
Top View ConfigurationText added for spacing
Product Summary
| TA = 25°C | TYPICAL VALUE | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | Source-to-Source Voltage | 20 | V | |
| Qg | Gate Charge Total (4.5 V) | 6 | nC | |
| Qgd | Gate Charge Gate-to-Drain | 1.4 | nC | |
| RS1S2(on) | Source-to-Source On-Resistance | VGS = 2.5 V | 29 | mΩ |
| VGS = 4.5 V | 20 | mΩ | ||
| VGS = 6.5 V | 18.7 | mΩ | ||
| VGS(th) | Threshold Voltage | 0.9 | V | |
Ordering Information(1)
| DEVICE | QTY | MEDIA | PACKAGE | SHIP |
|---|---|---|---|---|
| CSD85302L | 3000 | 7-Inch Reel | 1.35 × 1.35 mm Land Grid Array (LGA) Package | Tape and Reel |
| CSD85302LT | 250 |
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