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LP2998 - 产品图解:
LP2998-DDR-I、DDR-II 和 DDR-III 终端稳压器
LP2998--DDR存储器电源终端-电源管理
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TI产品 - LP2998介绍
LP2998 - DDR-I、DDR-II 和 DDR-III 终端稳压器

LP2998是TI公司的一款无产品,LP2998是DDR-I、DDR-II 和 DDR-III 终端稳压器,本页介绍了LP2998的产品说明、应用、特性等,并给出了与LP2998相关的TI元器件型号供参考。

LP2998 - DDR-I、DDR-II 和 DDR-III 终端稳压器 - 无 - DDR存储器电源终端 - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • AEC-Q100 Test Guidance with the following results (SO PowerPAD-8):
    • Device HBM ESD Classification Level H1C
    • Junction Temperature Range –40°C to 125°C
  • 1.35 V Minimum VDDQ
  • Source and Sink Current
  • Low Output Voltage Offset
  • No External Resistors Required
  • Linear Topology
  • Suspend to Ram (STR) Functionality
  • Low External Component Count
  • Thermal Shutdown
产品应用
  • DDR1, DDR2, DDR3, and DDR3L Termination Voltage
  • Automotive Infotainment
  • FPGA
  • Industrial/Medical PC
  • SSTL-18, SSTL-2, and SSTL-3 Termination
  • HSTL Termination
产品说明

The LP2998 linear regulator is designed to meet JEDEC SSTL-2 and JEDEC SSTL-18 specifications for termination of DDR-SDRAM and DDR2 memory. The device also supports DDR3 and DDR3L VTT bus termination with VDDQ min of 1.35 V. The device contains a high-speed operational amplifier to provide excellent response to load transients. The output stage prevents shoot through while delivering 1.5 A continuous current and transient peaks up to 3 A in the application as required for DDR-SDRAM termination. The LP2998 also incorporates a VSENSE pin to provide superior load regulation and a VREF output as a reference for the chipset and DIMMs.

An additional feature found on the LP2998 is an active low shutdown (SD) pin that provides Suspend To RAM (STR) functionality. When SD is pulled low the VTT output will tri-state providing a high impedance output, but, VREF will remain active. A power savings advantage can be obtained in this mode through lower quiescent current.

产品器件信息
PART NUMBERPACKAGEBODY SIZE (NOM)
LP2998 SO PowerPAD™ (8)4.89 mm x 3.90 mm
LP2998SOIC (8)4.90 mm x 3.91 mm
LP2998-Q1SO PowerPAD™ (8)4.89 mm x 3.90 mm
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