TPS28225-Q1是TI公司的一款低侧驱动器产品，TPS28225-Q1是MOSFET和IGBT栅极驱动器，本页介绍了TPS28225-Q1的产品说明、应用、特性等，并给出了与TPS28225-Q1相关的TI元器件型号供参考。
TPS28225-Q1 - MOSFET和IGBT栅极驱动器 - 低侧驱动器 - MOSFET和IGBT栅极驱动器 - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
TPS28225-Q1 和 TPS28226-Q1 是高速驱动器，此驱动器用于驱动具有自适应死区时间控制的 N-通道互补驱动功率 MOSFET。 这些驱动器针对多种高电流单一相位和多相位 dc 到 dc 转换器中的应用进行了优化。 TPS28225-Q1 是一个提供高效、小尺寸、低电磁干扰 (EMI) 发射的解决方案。
通过 8.8V 栅极驱动电压，14ns 自适应死区时间控制，14ns 广播延迟和 2A 高源电流和 4A 灌电流驱动能力，可实现这一性能。 较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于它的阀值并确保在 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电压。 由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用 N-通道 MOSFET。
TPS28225-Q1 特有一个 3 态 PWM 输入，此输入与采用 3 态输出特性的多相位控制器兼容。 只要此输入停留在 3 态窗口的持闭时间达到 250ns，此驱动器将两个输出都切换至低位。 此关断模式避免了来自反向输出电压的负载。
其它的特性包括欠压闭锁，热关断和双向使能/电源正常信号。 没有 3 态特性控制器的系统可以使用使能/电源正常输入/输出来在关断期间将两个输出保持在低位。
TPS28225-Q1 采用经济型小外型尺寸集成电路 (SOIC) 8 引脚和耐热增强型小尺寸双边扁平无引线 (DFN-8) 封装方式。 此驱动器额定扩展温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 105°C。 除了输入欠压闭锁，TPS28226-Q1 的工作方式与 TPS28225-Q1 一样。 除非另外注明，否则所有对于 TPS28225-Q1 的参考也适用于 TPS28226-Q1。
- 符合汽车应用要求
- 符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度 2 级：–40°C 至 105°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 驱动 2 个自适应死区时间为 14ns 的 N-通道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压范围：4.5V 到最高 8.8V，7V 到 8V 间效率最佳
- 宽电源系统输入电压：3V 到最高 27V
- 宽输入脉宽调制 (PWM) 信号：2.0V 到最高 13.2V 振幅
- 能驱动每相位电流值 ≥ 40A 的 MOSFET
- 高频运行：14ns 广播延迟和 10ns 上升/下降时间允许 FSW-2MHz
- 支持传播延迟 < 30ns 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器导通电阻 (0.4Ω) 防止与电压上升率 (dV/dT) 相关的击穿电流
- 用于电源级关断的 3 态 PWM 输入
- 为了节省空间，实现使能（输入）和电源正常（输出）信号在同一引脚上
- 热关断
- 欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 内部自举二极管
- 经济型小外型尺寸集成电路 (SOIC) 8 引脚和耐热增强型 3mm x 3mm 双边扁平无引线(DFN) 8 引脚封装
- 针对普遍使用的 3 态输入驱动器的高性能替代产品
