TPS51367 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流（低功率模式下为 100µA，由 LP# 启用）。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

• 输入电压范围：3V 至 22V
• 输出电压范围：0.6V 至 2V
• 12A 集成 FET 转换器
• 最少的外部组件数量
• ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
• 软启动时间可由外部电容器设定
• 开关频率：400kHz 和 800kHz
• D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
• 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
• 电源良好输出 OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断（非锁存）
• 输出放电功能
• 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
• 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装

• TPS54283 - 2A DUAL NON-SYNCHRONOUS CONVERTER
• TPS7H1101-SP - 抗辐射、宽输入电压、超低压降稳压器
• CD4078B - CMOS 8 输入或非/或门
• DSD1792A - 132dB SNR 最高性能立体声音频 DAC（软件控制）
• TPA3118D2 - 30W 无滤波器 D 类立体声放大器，带 AM 抑制
• UCC38C44 - BiCMOS 低功耗电流模式 PWM 控制器
• CC2510 - 2.4GHz 无线电收发器、8051 MCU 和 16KB 或 32KB 存储器
• MSP430F5328 - MSP430F532x 混合信号微处理器
• SN74AUP1G125 - 具有三态输出的低功耗单路总线缓冲器门
• ONET8501V - 具有输出波形整形的 11.3Gbps 差动 VCSEL 驱动器