TPS51367 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流（低功率模式下为 100µA，由 LP# 启用）。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

• 输入电压范围：3V 至 22V
• 输出电压范围：0.6V 至 2V
• 12A 集成 FET 转换器
• 最少的外部组件数量
• ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
• 软启动时间可由外部电容器设定
• 开关频率：400kHz 和 800kHz
• D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
• 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
• 电源良好输出 OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断（非锁存）
• 输出放电功能
• 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
• 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装

• TPS630252 - 采用 WCSP 封装的 4A 开关单电感降压/升压转换器
• TPS2158 - 用于 USB 外设的 3.3V LDO + 双路开关，工作态高电平启用
• LM140L - 串联 3 端子负电压稳压器
• TPS70745 - 具有加电顺序的双路输出低压降 (LDO) 稳压器
• LMP90079 - 具有真连续背景校准的多通道、低功耗 16 位传感器 AFE
• TL2844B - TL284xB, TL384xB
• DS90CF386 - +3.3V LVDS 接收器 24 位平板显示 (FPD) 链接 - 85 MHz
• DAC7563-Q1 - DAC8562 双路 16/14/12 位超低毛刺脉冲低功耗缓冲器电压输出 DAC
• INA220B-Q1 - 具有两线制接口的高或者低侧、双向电流/功率监视器
• DS90C363B - +3.3V 可编程 LVDS 发送器 18 位平板显示 (FPD) 链接 - 65MHz