TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2，DDR3，DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ)，此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式，此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外，此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。

TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放电（软关闭）。 它包括具有低侧 MOSFET RDS（接通）感测的可编程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。

TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚，3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。

• 同步降压控制器 (VDDQ)
  • 转换电压范围：3V 至 28V
  • 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
  • 0.8% VREF精度
  • D-CAP2 针对陶瓷输出电容器的模式
  • 可选 500kH/670kHz 开关频率
  • 自动跳跃功能优化了轻负载和重负载时的效率
  • 支持 S4/S5 状态中的软启动
  • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
  • 电源正常输出
• 2A LDO(VTT)，经缓冲基准 (VTTREF)
  • 2A（峰值）灌电流和拉电流
  • 只需 10μF 陶瓷输出电容器
  • 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
  • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
  • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
• 热关断
• 20 引脚，3mm x 3mm，四方扁平无引线 (QFN) 封装

• CD74HC151 - 高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器
• PTN04050C - 12W 3.3/5V 输入宽幅调节输出升压转换器
• DS96F172MQML - EIA-485/EIA-422 Quad Differential Drivers
• PTH12050Y - 6A 12V 输入非隔离式 DDR/QDR 存储器总线终端模块
• LM5009 - 150mA、100V 宽输入电压降压开关稳压器
• CDCE925 - 具有 2.5V 或 3.3V LVCMOS 输出的可编程 2-PLL VCXO 时钟合成器
• SN74ALS563B - 具有三态输出的八路 D 类透明锁存器
• LM2748 - 具有预偏置启动的 1-14V、电压模式同步降压控制器
• TPS22930A - 具有反向电流保护的超小型 3A 负载开关
• UCC2807-3 - 可编程最大占空比 PWM 控制器