TS3DDR32611 是一款灌电流/拉电流双倍数据速率类型 III (PCDDR3) 端接稳压器，此稳压器具有一个精度为 1% 的经缓冲基准输出。 它具有内置的端接单刀单掷 (SPST) 开关，此开关可在内存系统经历较低速运行时被断开，而无需电压端接。 关闭这些开关可在很大程度上节约内存系统的能耗。 此开关具有一个典型值为 1.75? 的导通电阻，这有助于保持信号线路上的信号完整性。

TS3DDR32611 由一个 3.3V 电源供电。 VDDQ 引脚汲取的输入电压范围为 1.2V 至 1.8V，而 VTT 引脚上的输出电压随 1/2 × VDDQ 的变化而变化。 稳压器的 VTT 输出能够灌入/拉出高达 1A 的电流，而 VREF 引脚输出是 1/2VDDQ ±1% × VDDQ，具有 5mA 电流灌入/拉出能力。 TS3DDR32611 具有 4 个运行模式：高速，低速，VREF 模式和断电模式，这些运行模式取决于控制信号 VTT_EN 和 ODT_EN。 这些不同的运行模式提供了建立一个内存系统的性能和功耗的灵活性。

TS3DDR32611 采用一个尺寸只有 4mm x 4mm 的小型 48 焊球球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装，这使得此器件成为移动应用的理想选择。

• VDD 范围 - 3.0V 至 3.6V
• RON 1.75? 典型值
• 通道计数 - 26
• VDDQ - 输入电压 1.2V 至 3.5V
• VTT - VDDQ/2 典型值 1A 的灌电流/拉电流能力
• VREF - VDDQ/2±1% × VDDQ
• 开关时间 - (T开/关) 最大值 100ns
• IDD 电源电流
  • 高速模式 (IDD,HS) 最大值 220µA
  • 低速模式 (IDD,LS) 最大值 220µA
  • 断电模式 (IDD,PD) 最大值 5µA
• 特殊特性
  • 1.8V 兼容控制输入 (VTT_EN，ODT_EN)
  • 高电流灌入/拉出能力：最大值 1A
• 48 焊球 ZQC 封装（4mm x 4mm，0.5mm 焊球间距）

应用范围

• 移动器件中双倍数据速率类型 3 (PCDDR3) 端接和稳压

• TRF3705 - 300MHz 至 4GHz 正交调制器
• ONET4291PA - 1.0Gbps 至 4.25Gbps 可选速率限幅放大器
• TPS3124J18 - 采用 5/SOT23 封装且具有看门狗的单通道 (1.8V) SVS
• REF5045 - 低噪声、极低漂移、高精度电压基准
• TPS54286 - 2A DUAL NON-SYNCHRONOUS CONVERTER
• CD54HCT534 - 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑八路上升沿反向 D 类触发器
• ISO721-Q1 - 汽车类单路 100Mbps 数字隔离器
• LM120QML - Series 3-Terminal Negative Regulators
• TRF372017 - 具有集成宽带 PLL/VCO 的 300MHz 至 4.8GHz 正交调制器
• MSP430F6725A - MSP430F673xA、MSP430F672xA 混合信号微控制器