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JFE2140DR
- 制造厂商：TI（中文名：德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > JFET，封装:8-SOIC
- 技术参数：JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
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JFE2140DR参数详情：
- 型号:JFE2140DR
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
- 描述:JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:2 N-通道（双）
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):-
- 漏极电流 (Id) - 最大值:50 mA
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1.5 V @ 0.1 A
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13pF @ 5V
- 电阻 - RDS(On):-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- JFE2140DR的官网价格：1:$4.78000|2500:$2.63808，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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