
CD4025B-MIL技术文档下载:
CD4025B-MIL - 产品图解:

TI芯片:
- SN74LVC126ADRG4 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- LMH6703MF/NOPB - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- TMCS1126A7BQDVGR - 传感器,变送器 > 电流传感器
- LM239AQDRQ1 - 集成电路(IC) > 线性 > 比较器
- LMC6041IMX - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- PT6443A - 直流转换器
- TPS566231PRQFR - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
- THS4275DGNRG4 - 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- OPA726AID - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- MSP430F2232IDA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MSP430FR2533IRHBT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TPS75825KTTT - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- SN75LP196DBRE4 - 接口 - 驱动器,接收器,收发器
- SN74ALS992DW - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- NFC-DATALOGGER-EVM - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- SN65HVD30MDREPG4 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- LP2996MREVAL - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 线性稳压器评估板
- TPS3700DDCT - 集成电路(IC) > 线性 > 比较器
- TMS320C6454BZTZ2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- INA296A2IDGKR - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器



CD4025B-MIL - CMOS 三路 3 输入或非门
CD4025B-MIL是TI德州仪器公司的一款或非门产品,CD4025B-MIL是CMOS 三路 3 输入或非门,本站介绍了CD4025B-MIL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CD4025B-MIL相关的TI元器件型号供参考。
CD4025B-MIL - CMOS 三路 3 输入或非门 - 或非门 - 门 - 德州仪器
产品描述
CD4001B, CD4002B, and CD4025B NOR gates provide the system designer with direct implementation of the NOR function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered.
The CD4001B, CD4002B, and CD4025B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages (F3A suffix), 14-lead dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead small-outline packages (M, MT, M96, and NSR suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline packages (PW and PWR suffixes).
产品特性
- Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL = 50 pF, VDD = 10 V
- Buffered inputs and outputs
- Standardized symmetrical output characteristics
- 100% tested for maximum quiescent current at 20 V
- 5-V, 10-V, and 15-V parametric ratings
- Maximum input current of 1 µA at 18 V over full package-temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C
- Noise margin (over full package temperature range): 1 V at VDD = 5 V 2 V at VDD = 10 V 2.5 V at VDD = 15 V
- Meets all requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of B Series CMOS Devices"
Data sheet acquired from Harris Semiconductor
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