
CD4025B-MIL技术文档下载:
CD4025B-MIL - 产品图解:

TI芯片:
- CD4001BNS - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- CD54HCT166F3A - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- CD4086BPWR - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器 - 多功能,可配置
- ADS7807UB/1KG4 - 集成电路(IC) > 数据采集 > 模数转换器(ADC)
- TRSF3238CDBR - 接口 - 驱动器,接收器,收发器
- CDC1104RVKR - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟缓冲器,驱动器
- GAL20V8QS-20LVI - 集成电路(IC) > 嵌入式 > PLD(可编程逻辑器件)
- LP2982AIM5X-3.8 - 电源管理IC - 稳压器 - 线性
- SN65HVD11HD - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- TPS54980PWP - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
- CLVTH16245AQDGGRQ1 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- TLV4112CDR - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- BQ25611DRTWT - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池充电器
- TPSM82866CA2PRCFR - 板安装电源 > 直流转换器
- MSP430F5252IRGCT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TLE2144IDW - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- OPA2348AIDCNR - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- REG102UA-2.8G4 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- LM27761EVM - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > DC/DC 和 AC/DC(离线)SMPS 评估板
- TLV2444AIDR - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器



CD4025B-MIL - CMOS 三路 3 输入或非门
CD4025B-MIL是TI德州仪器公司的一款或非门产品,CD4025B-MIL是CMOS 三路 3 输入或非门,本站介绍了CD4025B-MIL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CD4025B-MIL相关的TI元器件型号供参考。
CD4025B-MIL - CMOS 三路 3 输入或非门 - 或非门 - 门 - 德州仪器
产品描述
CD4001B, CD4002B, and CD4025B NOR gates provide the system designer with direct implementation of the NOR function and supplement the existing family of CMOS gates. All inputs and outputs are buffered.
The CD4001B, CD4002B, and CD4025B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages (F3A suffix), 14-lead dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead small-outline packages (M, MT, M96, and NSR suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline packages (PW and PWR suffixes).
产品特性
- Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL = 50 pF, VDD = 10 V
- Buffered inputs and outputs
- Standardized symmetrical output characteristics
- 100% tested for maximum quiescent current at 20 V
- 5-V, 10-V, and 15-V parametric ratings
- Maximum input current of 1 µA at 18 V over full package-temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C
- Noise margin (over full package temperature range): 1 V at VDD = 5 V 2 V at VDD = 10 V 2.5 V at VDD = 15 V
- Meets all requirements of JEDEC Tentative Standard No. 13B, "Standard Specifications for Description of B Series CMOS Devices"
Data sheet acquired from Harris Semiconductor
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