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CSD13306W - 产品图解：
CSD13306W-CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD13306W-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD13306W-CSD13306W 12V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片：
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TI产品 - CSD13306W介绍

CSD13306W - CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD13306W是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD13306W是CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD13306W的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD13306W相关的TI元器件型号供参考。

CSD13306W - CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
  • 低高度（高度为 0.62mm）
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
2 应用范围
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护
产品说明

这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图
产品概要
TA = 25°C典型值单位
VDS漏源电压12V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)8.6nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）3.0nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 2.5V12.9mΩ
VGS = 4.5V8.8mΩ
VGS(th)电压阈值1.0V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD13306W30007 英寸卷带1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装卷带封装
CSD13306WT2507 英寸卷带
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