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CSD25202W15 - 产品图解：
CSD25202W15-CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD25202W15-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD25202W15-CSD25202W15 20V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
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TI产品 - CSD25202W15介绍

CSD25202W15 - CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD25202W15是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25202W15是CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD25202W15的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD25202W15相关的TI元器件型号供参考。

CSD25202W15 - CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位
2 应用范围
  • 电池管理
  • 电池保护
产品说明

这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-20V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)5.8nC
Qgd栅漏栅极电荷0.8nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = -1.8V40mΩ
VGS = -2.5V26mΩ
VGS = -4.5V21mΩ
VGS(th)阀值电压 -0.75V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD25202W1530007 英寸卷带1.5mm x 1.5mm 晶圆级封装卷带封装
CSD25202W15T2507 英寸卷带
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