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CSD17551Q3A - 产品图解：
CSD17551Q3A-30V N 通道 MOSFET
CSD17551Q3A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17551Q3A-CSD17551Q3A 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
TI芯片：
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TI产品 - CSD17551Q3A介绍

CSD17551Q3A - 30V N 通道 MOSFET

CSD17551Q3A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17551Q3A是30V N 通道 MOSFET，本站介绍了CSD17551Q3A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17551Q3A相关的TI元器件型号供参考。

CSD17551Q3A - 30V N 通道 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
2 应用范围
  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明

本示例中使用的 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)6.0nC
Qgd栅漏栅极电荷1.5nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V9.6mΩ
VGS = 10V7.8mΩ
VGS(th)阀值电压1.6V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD17551Q3A250013 英寸卷带SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装卷带封装
CSD17551Q3AT2507 英寸卷带
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