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CSD17570Q5B技术文档下载：
CSD17570Q5B - 产品图解：
TI芯片：
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- TAS5342DDVRG4 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- TSB41BA3IPFP - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
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CSD17570Q5B - 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B
CSD17570Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17570Q5B是30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B，本站介绍了CSD17570Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17570Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD17570Q5B - 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低电阻
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- ORing 和热插拔应用
产品说明
这款 30V，0.56mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻，并不是专用于开关应用。
顶部图标。
。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 93 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 34 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 0.74 | mΩ |
| VGS = 10V | 0.56 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17570Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD17570Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
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