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CSD17570Q5B - 产品图解：
CSD17570Q5B-30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B
CSD17570Q5B-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17570Q5B-CSD17570Q5B 30V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. C)
TI芯片：
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TI产品 - CSD17570Q5B介绍

CSD17570Q5B - 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B

CSD17570Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17570Q5B是30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B，本站介绍了CSD17570Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17570Q5B相关的TI元器件型号供参考。

CSD17570Q5B - 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低电阻
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • ORing 和热插拔应用
产品说明

这款 30V，0.56mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻，并不是专用于开关应用。

顶部图标

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产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)93nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）34nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V0.74mΩ
VGS = 10V0.56mΩ
VGS(th)阈值电压1.5V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD17570Q5B250013 英寸卷带SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD17570Q5BT2507 英寸卷带
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