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CSD18533Q5A - 产品图解：
CSD18533Q5A-60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A
CSD18533Q5A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD18533Q5A-CSD18533Q5A 60V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. B)
TI芯片：
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TI产品 - CSD18533Q5A介绍

CSD18533Q5A - 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A

CSD18533Q5A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD18533Q5A是60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A，本站介绍了CSD18533Q5A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD18533Q5A相关的TI元器件型号供参考。

CSD18533Q5A - 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
产品说明

这款 4.7mΩ、60V、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

俯视图
产品概要
TA = 25°C典型值单位
VDS漏源电压60V
Qg栅极电荷总量 (10V)29nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）5.4nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V6.5mΩ
VGS = 10V4.7mΩ
VGS(th)阈值电压1.9V
。订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD18533Q5A250013 英寸卷带 SON 5mm × 6mm 塑料封装卷带封装
CSD18533Q5AT2507 英寸卷带
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