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CSD19501KCS - 产品图解:



TI芯片:
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- M430FR5989SRGCREP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- LP2975IMMX-12 - 电源管理IC - 稳压器 - 线性稳压器控制器
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- BQ29706DSER - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理
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- TPSI31P1QDVXRQ1 - 隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
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- LP3996SDX-3333/NOPB - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
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CSD19501KCS - 80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET,CSD19501KCS
CSD19501KCS是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD19501KCS是80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET,CSD19501KCS,本站介绍了CSD19501KCS的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD19501KCS相关的TI元器件型号供参考。
CSD19501KCS - 80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET,CSD19501KCS - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
2 应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品说明
这款 80V,5.5mΩ,TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 80 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 38 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 5.8 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 6.2 | mΩ |
| VGS = 10V | 5.5 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.6 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19501KCS | TO-220 塑料封装 | 管 | 50 | 管 |
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