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CSD19532KTT - 产品图解：
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- SN65HVD06DG4 - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
- RM46L830CPGET - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MSP430F67671IPZR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TMUX6212RUMR - 集成电路（IC） > 接口 > 模拟开关，多路复用器，解复用器
- TRS3232CDW - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
- TLV2771CDBVR - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- LM2676SX-5.0/NOPB - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
- TM4C1233H6PMI - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
CSD19532KTT - CSD19532KTT
CSD19532KTT是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19532KTT是CSD19532KTT，本站介绍了CSD19532KTT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19532KTT相关的TI元器件型号供参考。
CSD19532KTT - CSD19532KTT - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- D2PAK Plastic Package
产品应用
- Secondary Side Synchronous Rectifier
- Hot Swap
- Motor Control
产品说明
This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
SPACE
Pin Out.
Product Summary
| TA = 25°C | TYPICAL VALUE | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | Drain-to-Source Voltage | 100 | V | |
| Qg | Gate Charge Total (10 V) | 44 | nC | |
| Qgd | Gate Charge Gate to Drain | 5.6 | nC | |
| RDS(on) | Drain-to-Source On Resistance | VGS = 6 V | 5.3 | mΩ |
| VGS = 10 V | 4.6 | mΩ | ||
| VGS(th) | Threshold Voltage | 2.6 | V | |
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