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CSD19533Q5A - 产品图解：
TI芯片：
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- LM27964SQX-I/NOPB - 电源管理IC - LED 驱动器
- UCC2817D - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > PFC（功率因数校正）
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- DS14185WMX - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
- SN65LVDS93BDGGR - 集成电路（IC） > 接口 > 串行器，解串器
- TPS7A7100RGTT - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- TL432CDBVRE4 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
- OPA837IDCKT - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
CSD19533Q5A - 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A
CSD19533Q5A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19533Q5A是100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A，本站介绍了CSD19533Q5A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19533Q5A相关的TI元器件型号供参考。
CSD19533Q5A - 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 初级侧电信应用
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品说明
这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 27 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 4.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 6V | 8.7 | mΩ |
| VGS = 10V | 7.8 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19533Q5A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD19533Q5AT | 7 英寸卷带 | 250 |
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