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CSD22202W15 - 产品图解：
CSD22202W15-P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15
CSD22202W15-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD22202W15-CSD22202W15 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. B)
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TI产品 - CSD22202W15介绍

CSD22202W15 - P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15

CSD22202W15是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD22202W15是P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15，本站介绍了CSD22202W15的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD22202W15相关的TI元器件型号供参考。

CSD22202W15 - P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位
2 应用范围
  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用
产品说明

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

顶视图和电路配置
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-8V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)6.5nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）1nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = -2.5V14.5mΩ
VGS = -4.5V10.2mΩ
VGS(th)阈值电压-0.8V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD22202W1530007 英寸卷带1.5mm x 1.5mm 晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装卷带封装
CSD22202W15T2507 英寸卷带
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