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CSD22202W15 - 产品图解：
CSD22202W15 - P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15
CSD22202W15是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD22202W15是P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15，本页介绍了CSD22202W15的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD22202W15相关的TI元器件型号供参考。
CSD22202W15 - P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
- 无铅
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
2 应用范围
- 电池管理
- 电池保护
- 负载开关应用
产品说明
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
顶视图和电路配置产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -8 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 6.5 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -2.5V | 14.5 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 10.2 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD22202W15 | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.5mm x 1.5mm 晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装 | 卷带封装 |
| CSD22202W15T | 250 | 7 英寸卷带 |
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