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CSD23202W10 - 产品图解：
CSD23202W10 - CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
CSD23202W10是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23202W10是CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，本页介绍了CSD23202W10的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD23202W10相关的TI元器件型号供参考。
CSD23202W10 - CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小尺寸封装 1mm x 1mm
- 薄型，0.62mm 高度
- 无铅
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
2 应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
产品说明
这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 2.9 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.28 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = –1.5V | 82 | mΩ |
| VGS = –1.8V | 67 | mΩ | ||
| VGS = -2.5V | 54 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 44 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | –0.60 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23202W10 | 3000 | 7 英寸卷带 | 1 x 1mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD23202W10T | 250 | 7 英寸卷带 |
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