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CSD23202W10 - 产品图解：
CSD23202W10-CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
CSD23202W10-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD23202W10-CSD23202W10 12V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
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TI产品 - CSD23202W10介绍

CSD23202W10 - CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET

CSD23202W10是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23202W10是CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，本站介绍了CSD23202W10的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD23202W10相关的TI元器件型号供参考。

CSD23202W10 - CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 薄型，0.62mm 高度
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
2 应用范围
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护
产品说明

这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-12V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)2.9nC
Qgd栅漏栅极电荷0.28nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = –1.5V82mΩ
VGS = –1.8V67mΩ
VGS = -2.5V54mΩ
VGS = -4.5V44mΩ
VGS(th)阀值电压–0.60V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD23202W1030007 英寸卷带1 x 1mm 晶圆级封装卷带封装
CSD23202W10T2507 英寸卷带
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