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CSD25213W10技术文档下载：
CSD25213W10 - 产品图解：
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- V62/11610-01XE - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- 74FCT373PC - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
- LM3S1608-EQC50-A2T - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TPS79230DBVRG4 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- UCC27289DR - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 全半桥驱动器
- PC16550DVX/NOPB - 集成电路（IC） > 接口 > UART（通用异步接收器发送器）
- LP3853ESX-3.3 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- LMV358QDRQ1 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
CSD25213W10 - P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD25213W10
CSD25213W10是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25213W10是P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD25213W10，本站介绍了CSD25213W10的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD25213W10相关的TI元器件型号供参考。
CSD25213W10 - P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD25213W10 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品描述
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。产品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小尺寸封装 1mm x 1mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
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