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CSD25310Q2 - 产品图解：
CSD25310Q2 - 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2
CSD25310Q2是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25310Q2是20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2，本页介绍了CSD25310Q2的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD25310Q2相关的TI元器件型号供参考。
CSD25310Q2 - 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
2 应用范围
- 电池管理
- 负载管理
- 电池保护
产品说明
这款 19.9mΩ，20V P 通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 其低导通电阻，与 SON 2mm x 2mm 塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起，使得此器件成为电池供电、空间受限运行的理想选择。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 3.6 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -1.8V | 59.0 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 27.0 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 19.9 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | -0.85 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25310Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD25310Q2T | 7 英寸卷带 | 250 |
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