TI公司，TI官网，TI代理商
TI(德州仪器)|TI产品型号搜索：
专营TI（德州仪器）元器件，强大的现货交付能力，解决您的采购难题
全流程提供TI（德州仪器）现货供应链服务
当前位置：TI代理 > > TI芯片 >> CSD25310Q2
CSD25310Q2技术文档下载：
CSD25310Q2技术文档产品手册下载
CSD25310Q2 - 产品图解：
CSD25310Q2-20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2
CSD25310Q2-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD25310Q2-CSD25310Q2 20V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
TI芯片：
承诺原装正品
专营TI德州仪器，真正优化您的供应链
TI产品 - CSD25310Q2介绍

CSD25310Q2 - 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2

CSD25310Q2是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25310Q2是20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2，本站介绍了CSD25310Q2的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD25310Q2相关的TI元器件型号供参考。

CSD25310Q2 - 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
2 应用范围
  • 电池管理
  • 负载管理
  • 电池保护
产品说明

这款 19.9mΩ，20V P 通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 其低导通电阻，与 SON 2mm x 2mm 塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起，使得此器件成为电池供电、空间受限运行的理想选择。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-20V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)3.6nC
Qgd栅漏栅极电荷0.5nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = -1.8V 59.0 mΩ
VGS = -2.5V27.0mΩ
VGS = -4.5V19.9mΩ
VGS(th)阀值电压-0.85V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD25310Q27 英寸卷带3000SON 2mm x 2mm 塑料封装卷带封装
CSD25310Q2T7 英寸卷带250
下面可能是您感兴趣的TI德州仪器公司P通道MOSFET晶体管元器件
节约时间成本，提高采购效率，TI官网授权代理
TI公司|TI德州仪器|德州仪器TI公司代理商|TI芯片代理商
TI公司产品现货专家，订购TI公司产品不限最低起订量，TI芯片大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
寻找全球TI代理商现货货源 - TI公司（德州仪器）电子元件在线订购