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CSD25481F4 - 产品图解：
CSD25481F4-P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4
CSD25481F4-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD25481F4-CSD25481F4 20V P 通道 FemtoFET MOSFET (Rev. D)
TI芯片：
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TI产品 - CSD25481F4介绍

CSD25481F4 - P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4

CSD25481F4是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25481F4是P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4，本站介绍了CSD25481F4的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD25481F4相关的TI元器件型号供参考。

CSD25481F4 - P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1mm x 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用
产品说明

这款 90mΩ，20V P 通道 FemtoFET™ MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

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典型部件尺寸

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产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-20V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)913pC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）153pC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = –1.8V395mΩ
VGS = -2.5V145mΩ
VGS = -4.5V90mΩ
VGS(th)阈值电压-0.95V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD25481F430007 英寸卷带Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 焊盘栅格阵列 (LGA)卷带封装
CSD25481F4T2507 英寸卷带
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