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CSD95379Q3M - 产品图解:
CSD95379Q3M-同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M
CSD95379Q3M-功率MOSFET模块-功率MOSFET-电源管理
CSD95379Q3M-CSD95379Q3M 同步降压  NexFET 功率级 (Rev. C)
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TI产品 - CSD95379Q3M介绍
CSD95379Q3M - 同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M

CSD95379Q3M是TI公司的一款功率MOSFET模块产品,CSD95379Q3M是同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M,本页介绍了CSD95379Q3M的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD95379Q3M相关的TI元器件型号供参考。

CSD95379Q3M - 同步降压 NexFE 功率级,CSD95379Q3M - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • 12A 电流下的系统效率达 92.5%
  • 12A 电流时 1.8W 的超低功率损耗
  • 最大额定持续电流为 20A,峰值电流为 45A
  • 高频运行(高达 2MHz)
  • 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 低静态 (LQ) 和超低静态 (ULQ) 电流模式
  • 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 击穿保护
  • 符合 RoHS 标准 - 无铅引脚镀层
  • 无卤素
2 应用范围
  • NVDC 笔记本电脑/超极本 PC
  • 平板电脑
  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
产品说明

CSD95379Q3M NexFET™ 功率级的设计经过高度优化,适用于高功率、高密度同步降压转换器。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows® 8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入,静态电流可减少至 130μA,并支持立即响应。 当 SKIP# 保持在三态时,电流可减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。 这个组合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

器件信息(1)
器件介质 数量封装 出货
CSD95379Q3M13 英寸卷带 2500SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装卷带封装
CSD95379Q3MT7 英寸卷带250
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