• 集成 N 通道负载开关
• 输入电压范围：1V 至 5.5V
• 内部导通 FET RDSON = 8mΩ（典型值）
• 超低导通电阻
  • RON = 13mΩ（典型值），此时 VIN = 5V
  • RON = 14m?（典型值），此时 VIN = 3.3V
  • RON = 18m?（典型值），此时 VIN = 1.8V
• 3A 最大持续开关电流
• 反向电流保护（禁用时）
• 低关断电流 (760nA)
• 1.3V GPIO 低阈值控制输入
• 受控转换率可避免浪涌电流
• 快速输出放电（只适用于 TPS22964）
• 六引脚晶圆级芯片规模封装（标称尺寸 - 请参见附录了解详细信息）
  • 0.9mm x 1.4mm，0.5mm 焊球间距，0.5mm 高度 (YZP)
• 经测试，静电放电 (ESD) 性能符合 JESD 22 规范
  • 2kV 人体模型（A114-B，II 类）
  • 500V 充电器件模型 (C101)

• 智能手机
• 笔记本计算机和 超极本™
• 平板电脑
• 固态硬盘 (SSD)
• 数字电视 (DTV)/IP 机顶盒
• POS 终端及媒体网关

TPS22963/64 是一款具有受控接通功能的小型超低 RON 负载开关。 此器件包含一个低 RDSON N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1V 至 5.5 输入电压范围内运行并支持高达 3A 的开关电流。采用集成电荷泵偏置 NMOS 开关，从而获得一个低开关导通电阻。 此开关可由一个打开/关闭输入 (ON) 控制，此输入可与低压 GPIO 控制信号直接对接。 TPS22963/64 器件的上升时间受到内部控制以避免浪涌电流。

TPS22963/64 提供反向电流保护。 当电源开关禁用时，该器件将防止电流流向开关输入端。 反向电流保护功能只有在该器件禁用时才有效，以便允许某些应用中特意的反向电流（开关使能时）。

TPS22963/64 采用超小型、节省空间的 6 引脚晶圆级芯片 (WCSP) 封装，额定工作环境温度范围为 –40°C 至 85°C。