TPS51362 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51362 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流（低功率模式下为 100µA，由 LP# 启用）。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

• 输入电压范围：3V 至 22V
• 输出电压范围：0.6V 至 2V
• 10A 集成 FET 转换器
• 最少的外部组件数量
• ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
• 软启动时间可由外部电容器设定
• 开关频率：800kHz
• D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
• 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
• 电源良好输出 OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 热关断（非锁存）
• 输出放电功能
• 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
• 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装

• INA212 - 26V、双向、零漂移、高精度、低侧/高侧、电压输出电流分流监控器
• DRV110 - 具有集成电源调节功能的节能螺线管控制器
• LM3644 - 双 1.5A 电流源相机闪光灯 LED 驱动器
• TLV5608 - 2.7V 至 5.5V 10 位 8 通道串行 DAC
• SN54AHCT32 - 四路 2 输入正或门
• CY54FCT377T - 具有使能端的八路 D 类触发器
• TPS40074 - 具有电压前馈的中等范围输入同步降压控制器
• SN54ALS1002A - 四路 2 输入正或非缓冲器
• THS1206-EP - 增强型产品 12位，6Msps Adc，具有四通道 （配置），Dsp/Up If，集成 16x Fifo
• SN74ACT373-EP - 具有三态输出的增强型产品八路 D 类透明锁存器