VSP5610/11/12 为高速、高性能 16 位模数转换器 (ADC)，具有四个独立的采样电路通道，用于多路输出充电耦合设备 (CCD) 及互补金属氧化物半导体 (CMOS) 系列传感器。 传感器的像素数据由采样/保持 (SH) 或相关双采样 (CDS) 电路采样，然后由 ADC 转化为数字数据。 数据输出在低电压差动信号 (LVDS) 或 CMOS 模式下可选。

VSP5610/11/12 包括一个可编程增益，支持亮度引起的像素级反射。 集成数模转换器 (DAC) 可用于调节模拟输入信号的偏移级别。 此外，定时发生器 (TG) 和一些控制传感器运行的器件集成。

VSP5610/11/12 使用 1.65V 至 1.95V 用于内核电压，3.0V 至 3.6V 用于 I/O。 内核电压由内置低压降稳压器 (LDO) 提供。

• 四通道 CCD/CMOS 信号：2 通道、4 通道或 4 通道（可选）
• 电源： 仅限 3.3V（典型值）（内置 LDO，3.3V 至 1.8V）
• 最大转换速率：
  • VSP5610: 35 MSPS
  • VSP5611: 50 MSPS
  • VSP5612: 70 MSPS
• 16 位分辨率
• CDS/SH（可选）
• 最大输入信号范围：2.0V
• 模拟和数字混合增益：
  • 模拟增益：3/64-V/V 步骤中为0.5V/V 至 3.5V/V
  • 数字增益：1/256-V/V 步骤中为1V/V 至 2V/V
• 偏移校正 DAC：±250mV、8 位
• 标准 LVDS/CMOS 可选输出：
  • LVDS：
    • 数据通道：2 通道、3 通道
    • 时钟通道：1 通道
    • 8 位/7 位串行器（可选）
  • CMOS：
    • 4 位 × 4、8 位 × 2
• 定时发生器：
  • 快速传输时钟：八个信号
  • 慢速传输时钟：六个信号
• 定时调节分辨率：tMCLK/48
• 输入钳位/输入参考级别内部/外部（可选）
• 参考 DAC: 0.5V、1.1V、1.5V、2V
• SPI™：三线串行
• GPIO：四端口

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• SN74S225 - 16 x 5 异步 FIFO 存储器
• ADS8688 - 带 5V 单电源并支持双极输入的 16 位、8 通道、500Ksps ADC
• TPS61007 - 具有可调节输出的低输入电压升压转换器
• PTH03010Y - 15A 输出 3.3V 输入的总线终端电源模块，用于 DDR/QDR 内存
• UCC2813-4-Q1 - 汽车类低功率 BiCMOS 电流模式 PWM
• SN74LVC2G14 - 双路施密特触发反向器
• INA214-Q1 - 汽车级、26V、双向、零漂移、低侧/高侧、电压输出电流感测放大器
• TS2PCIE412 - 4 通道 PCIe 2:1 多路复用器/多路解复用器无源 FET 开关
• CSD43301Q5M - CSD43301Q5M
• REF5010 - 低噪声、极低漂移、高精度电压基准