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CSD88599Q5DC
  • 制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:22-PowerTFDFN
  • 技术参数:MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
  • (专注销售TI电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD88599Q5DC
  • 制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
  • 描述:MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.1 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):27nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4840pF @ 30V
  • 功率-最大值:12W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:22-PowerTFDFN
  • CSD88599Q5DC的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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