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TPS73250-Q1-具有反向电流保护的电容、NMOS、250mA 低压降稳压器
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TI产品 - TPS73250-Q1介绍
TPS73250-Q1 - 具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA 低压降稳压器

TPS73250-Q1是TI公司的一款单通道LDO产品,TPS73250-Q1是具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA 低压降稳压器,本页介绍了TPS73250-Q1的产品说明、应用、特性等,并给出了与TPS73250-Q1相关的TI元器件型号供参考。

TPS73250-Q1 - 具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA 低压降稳压器 - 单通道LDO - 线性稳压器(LDO) - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品描述

TPS73250-Q1 系列低压降 (LDO) 电压稳压器使用一款全新的拓扑结构:在一个电压跟随器配置中的一个 NMOS 导通元件。 这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。 它还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,此电流在所有输出电流上几乎保持恒定。

TPS73250-Q1 使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺来在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。 当不被启用时,流耗少于 1μA 并且非常适合于便携式应用。 极低的输出噪声(30μVRMS,使用 0.1μF CNR时测得)使此器件非常适合于为 VCO 供电。 这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

产品特性

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
    • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
  • 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
  • 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
  • 超低压降电压:在 250mA 时为 40mV(典型值)
  • 出色的负载瞬态响应,借助或不借助可选输出电容器
  • 全新的 NMOS 拓扑结构可提供低反向漏电流
  • 低噪声:30μVRMS典型值(10kHz 至 100kHz)
  • 0.5% 初始精度
  • 1% 总体准确度(在线路、负载和温度上)
  • 关断模式中 IQ最大值少于 1μA
  • 热关断和特定的最小/最大电流限制保护
  • 提供多个输出电压版本:
    • 1.20V 至 5V 间的固定输出
    • 从 1.20V 到 5.5V 间的可调输出
    • 可提供定制输出

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