• 符合汽车应用要求
• 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：
  • 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
  • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
  • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
• 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
• 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
• 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
• UCC27511A-Q1 内的分离输出配置（可独立对接通和关闭速度实现简便调节）
• 快速传播延迟（典型值 13ns）
• 快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 单一电源范围
• VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保加电和断电时无毛刺脉冲运行）
• 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阀值（与电源电压无关）
• 针对高抗扰度的滞后逻辑阀值
• 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置）
  • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
• 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
• 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
• 输入引脚可承受 –5V 直流电压（低于接地 (GND) 引脚电压）
• 工作温度范围 -40°C 至 140°C
• 可选用 6 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管封装 (SOT)-23）

• 开关模式电源
• 直流到直流转换器
• 用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
• 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
• 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器

UCC27511A-Q1 器件是紧凑型栅极驱动器，可为 NPN 和 PNP 离散驱动器（缓冲电路）解决方案提供高品质替代方案。 UCC27511A-Q1 器件是一款汽车应用级单通道低侧、高速栅极驱动器，适用于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅门极晶体管 (IGBT) 和新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）。 UCD27511A-Q1 器件具有快速上升时间、快速下降时间和快速传播延迟，因此非常适合高速应用。 此器件采用非对称驱动，具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流，从而提升了抗米勒接通效应能力。 分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节，并且无需使用外部二极管。